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Analog Devices Inc. 亚德诺

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封装图 商品描述 综合参数 封装规格/资料 价格(含税) 购买数量/库存 操作
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：5V ~ 30V
输入类型：反相，非反相
丝印：
外壳：
封装：16-SO
料号：P4-697
包装： 1000个/ 卷带
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8DIP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
驱动配置：高端
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：-
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-PDIP
料号：P4-700
包装： 50个/ 管件
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：高端
通道类型：独立式
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电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
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外壳：
封装：16-SO
料号：P4-714
包装： 1000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥52.093000
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
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封装：24-SOIC
料号：P4-715
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参考价格:￥52.093000
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丝印：
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料号：P4-812
包装： 3000个/ 卷带
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SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3654ARHZ-RL' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8LFCSP
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：同步
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.15V ~ 13.2V
输入类型：非反相
丝印：(请登录)
外壳：
封装：8-LFCSP-VD（3x3）
料号：P4-813
包装： 5000个/ 卷带
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MINISOIC
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
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驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4.5V ~ 18V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
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料号：P4-821
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驱动配置：半桥
通道类型：独立式
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：16-PDIP
料号：P4-1020
包装： 25个/ 管件
参考价格:￥52.093000
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描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16DIP
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-SOIC
料号：P4-1030
包装： 32个/ 管件
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8MSOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :1.2V，1.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.1A，1.1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，7ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：高端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：4V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：8-MSOP-EP
料号：P4-1031
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SOIC
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替代：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：4
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：10V ~ 15V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：24-SOIC
料号：P4-1032
包装： 1000个/ 卷带（TR）
参考价格:￥52.093000
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可供数量:咨询
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替代：
驱动配置：低端
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栅极类型：N 沟道 MOSFET
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料号：P4-1035
包装： 50个/ 管件
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 10MSOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :1.2V，1.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.1A，1.1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，7ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 25V 逻辑电压 :1.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13ns，8ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 25V 逻辑电压 :1.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13ns，8ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：单路
驱动器数：1
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：5V ~ 25V
输入类型：非反相
丝印：
外壳：
封装：10-MSOP-EP
料号：P4-1036
包装： 2500个/ 卷带（TR）
参考价格:￥52.093000
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现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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品牌： Analog Devices Inc.复制 ADI 亚德诺
描述： IC GATE DRVR LOW-SIDE 8MSOP
参数： *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 30V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:500mA，500mA *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:56 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，120ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:- 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 11V 逻辑电压 :- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相，非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:同步 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.15V ~ 13.2V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:20ns，16ns 工作温度:0°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:0°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:通孔 *驱动配置:高端 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:- *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA） 安装类型:通孔 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:高端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:4V ~ 15V 逻辑电压 :1.2V，1.6V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.1A，1.1A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:80 V 上升/下降时间（典型值）:10ns，7ns 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:半桥 *通道类型:独立式 *驱动器数:4 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:10V ~ 15V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:1.5A，1.5A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:60 V 上升/下降时间（典型值）:130ns，60ns 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 25V 逻辑电压 :1.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13ns，8ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:单路 *驱动器数:1 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:5V ~ 25V 逻辑电压 :1.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:6A，6A *输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:13ns，8ns 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *驱动配置:低端 *通道类型:独立式 *驱动器数:2 *栅极类型:N 沟道 MOSFET *电压 - 电源:9.5V ~ 18V 逻辑电压 :0.8V，2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2A *输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:- 上升/下降时间（典型值）:10ns，10ns 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
驱动配置：低端
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：N 沟道 MOSFET
电压 - 电源：9.5V ~ 18V
输入类型：反相
丝印：
外壳：
封装：8-MSOP
料号：P4-1051
包装： 1000个/ 卷带
参考价格:￥52.093000
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'ADP3629ARMZ-R7' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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